型号：IKW40N120T2

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型号：IKW40N120T2

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型号：IKW40N120T2

型号：IKW40N120T2

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
栅极/发射极大电压: - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流: 75 A
Pd-功率耗散: 480 W
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT2
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
高度: 20.9 mm
长度: 15.9 mm
产品类型: IGBT Transistors
240
子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
宽度: 5.03 mm
零件号别名: IKW4N12T2XK SP000244962 IKW40N120T2FKSA1
单位重量: 38 g

型号：IKW40N120T2