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产品分类
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产品信息
General Description
The AO4612 uses advanced trench technology
MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate
charge. The complementary MOSFETs may be
used in H-bridge, Inverters and other applications.
Features
n-channel p-channel
VDS (V) = 60V -60V
ID = 4.5A (VGS=10V) -3.2A (VGS = -10V)
RDS(ON) RDS(ON)
< 56mΩ (VGS=10V) < 105mΩ (VGS = -10V)
< 77mΩ (VGS=4.5V) < 135mΩ (VGS = -4.5V)
